[전자신문] IBS, 그래핀 대체할 차세대 반도체 나노소재 성장법 개발

그래핀을 대체할 차세대 반도체 나노소재 성장법이 개발됐다.

기초과학연구원(IBS·원장 오세정)은 원자제어저차원전자계연구단(단장 염한웅) 최희철 그룹리더(포스텍 화학과 교수) 연구팀이 금촉매를 이용, 그래핀을 대체할 차세대 반도체 소재인 2차원 이황화몰리브덴을 원하는 형태로 제작할 수 있는 방법을 개발했다고 14일 밝혔다.

연구팀은 세계 최초로 2차원 이황화몰리브덴을 대면적 크기와 기하학적 형태로 균일하게 합성하고 이를 반도체 소자로 제작할 수 있다는 것을 증명했다.

이번 연구를 통해 향후 이황화몰리브덴을 굴절과 투명 전자소자와 같은 차세대 반도체 산업에 적용 가능할 것으로 기대된다.

특히 이황화몰리브덴은 그래핀과 구조적으로는 비슷하지만 전도체인 그래핀과 달리 반도체성을 지녀 태양전지나 저전력 트랜지스터, 플렉시블 디스플레이 등 다양한 분야에 활용이 가능하다.

이번 연구는 기존 단순 증착과는 달리, 금과의 표면합금 형성이라는 새로운 방법이 적용됐다. 금 박막을 원하는 기하학적 형태로 증착하면 그에 맞춰 이황화몰리브덴도 같은 형태로 성장한다는 것을 밝혀냈다.

이번 연구결과는 14일 화학 분야 권위학술지인 `안게반테 케미(Angewande Chemie)` 온라인에 게재됐고, 1월호 표지논문으로도 소개됐다.

최희철 부단장은 “표면합금이라는 새로운 방법을 통해 기존 성장방법이 이루지 못했던 패턴화 성장을 처음 이뤘다”며 “기존 실리콘 기반 반도체를 대체할 차세대 원천소재의 합성방법을 개발했다는 점에서 의미가 있다”고 말했다.

한편, 이번 연구논문의 제1전자인 송인택 박사과정생은 국가에서 지원하는 글로벌 박사펠로십에 선정돼 지원을 받고 있다.

포항=정재훈기자 jhoon@etnews.com